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如何清洗硅基底基片更專業

2021-05-21 20:50:24

 (1)清洗硅基底基片,選用射CNB1002005AU頻磁空濺射工藝方法在基片上堆積150nm的Si3N。,500nm的Si02薄膜作為熱隔離層,然后在Si3N。/Si0:上堆積Ti和Pt層;

   (2)在上電極上選用3600rpm/min旋涂30s,構成PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜層,采取前所述的方法完成0. 55l.t,m的多層薄膜結構;

   (3)等離子腐蝕法光刻圖形化PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜;

底基片

   (4)選用蒸鍍工藝技術,制作150nm的Pt薄膜層和80nm的Ti薄膜層在薄膜層上;

   (5)光刻制作焊接區;在純N:氣室內、150Pa壓力情況下,蒸鍍150nm的金黑吸收層,在丙酮中剝離不需要的金屬區,構成紅外靈敏檢測區域;

   (6)光刻底基片廠家靈敏元件的背面,選用BOE深浸蝕5h制作底基片微橋結構;

   (7)把靈敏元件與外部輸出電路進行銜接,然后真空封裝入T0-5型金屬殼體內。

   制作的紅外薄膜型探測器主要由PT/PZT~PZT/PT薄膜靈敏元件、JFET場效應晶體管、窄帶濾光片、47kQ電阻以及輸出電路等組成,這些被真空封裝在T0-5型金屬殼體內

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